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半导体是现代电子业的基础,业包括我们热爱的音响业。下面详细展示了Intel从沙子到芯片的全过程,满足你的好奇心。
. T/ q7 e( \& \& L# [不知道发到这个版块是否合适,不合适的话请版主迁移~~{:soso_e181:}. r( x! ?9 W! [3 _
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简单地说,处理器的制造过程可以大致分为沙子原料(石英)、硅锭、晶圆、光刻(平版印刷)、蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试、包装上市等诸多步骤,而且每一步里边又包含更多细致的过程。. [# z% G+ c, T7 Y/ ?2 J
! H2 n& c7 B0 S& c0 K下边就图文结合,一步一步看看主要的过程:
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5 A& q" G7 g/ x7 I9 L8 M+ [沙子:硅是地壳内第二丰富的元素,而脱氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25%的硅元素,以二氧化硅(SiO2)的形式存在,这也是半导体制造产业的基础。# M5 h$ [4 c: m" e" A
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硅熔炼:12英寸/300毫米晶圆级,下同。通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅,学名电子级硅(EGS),平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。此图展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶体的,最后得到的就是硅锭(Ingot)。
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单晶硅锭:整体基本呈圆柱形,重约100千克,硅纯度99.9999%。
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硅锭切割:横向切割成圆形的单个硅片,也就是我们常说的晶圆(Wafer)。顺便说,这下知道为什么晶圆都是圆形的了吧?- M R! d6 W% _3 e" F U& B3 B ?
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晶圆:切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕,表面甚至可以当镜子。事实上,Intel自己并不生产这种晶圆,而是从第三方半导体企业那里直接购买成品,然后利用自己的生产线进一步加工,比如现在主流的45nm HKMG(高K金属栅极)。值得一提的是,Intel公司创立之初使用的晶圆尺寸只有2英寸/50毫米。" t) c: c. S( O C" a% k' d, X& w
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! m* q# {! D4 b光刻胶(Photo Resist):图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体,类似制作传统胶片的那种。晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。0 m* I, p% v- O+ C
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i0 G. O0 j/ @* o% n光刻一:光刻胶层随后透过掩模(Mask)被曝光在紫外线(UV)之下,变得可溶,期间发生的化学反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化。掩模上印着预先设计好的电路图案,紫外线透过它照在光刻胶层上,就会形成微处理器的每一层电路图案。一般来说,在晶圆上得到的电路图案是掩模上图案的四分之一。
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光刻二:由此进入50-200纳米尺寸的晶体管级别。一块晶圆上可以切割出数百个处理器,不过从这里开始把视野缩小到其中一个上,展示如何制作晶体管等部件。晶体管相当于开关,控制着电流的方向。现在的晶体管已经如此之小,一个针头上就能放下大约3000万个。
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5 B( h4 [5 H: ^$ G1 k溶解光刻胶:光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉,清除后留下的图案和掩模上的一致。 ]3 S: I- U# X- @8 z! x' L; T+ B
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蚀刻:使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分,而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。
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清除光刻胶:蚀刻完成后,光刻胶的使命宣告完成,全部清除后就可以看到设计好的电路图案。4 E( m4 `4 [$ G- B0 a
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7 V$ T6 _2 ]# m$ `% y0 ]3 [7 ?) r+ |光刻胶:再次浇上光刻胶(蓝色部分),然后光刻,并洗掉曝光的部分,剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。
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* J. Y! Z6 g- `( o2 j离子注入(Ion Implantation):在真空系统中,用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射(注入)固体材料,从而在被注入的区域形成特殊的注入层,并改变这些区域的硅的导电性。经过电场加速后,注入的离子流的速度可以超过30万千米每小时。0 Q' t- V8 H$ t1 Y
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清除光刻胶:离子注入完成后,光刻胶也被清除,而注入区域(绿色部分)也已掺杂,注入了不同的原子。注意这时候的绿色和之前已经有所不同。
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2 [ u1 c9 J, D! R/ n" f7 @晶体管就绪:至此,晶体管已经基本完成。在绝缘材(品红色)上蚀刻出三个孔洞,并填充铜,以便和其它晶体管互连。( Z! [$ m4 i6 q! j+ Z+ Q2 F/ [
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5 j) v9 i( |+ F: R9 q2 F- u电镀:在晶圆上电镀一层硫酸铜,将铜离子沉淀到晶体管上。铜离子会从正极(阳极)走向负极(阴极)。
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铜层:电镀完成后,铜离子沉积在晶圆表面,形成一个薄薄的铜层。
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% T) V0 {" C s$ _- q }抛光:将多余的铜抛光掉,也就是磨光晶圆表面。
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$ L" X* Z3 r4 q" x金属层:晶体管级别,六个晶体管的组合,大约500纳米。在不同晶体管之间形成复合互连金属层,具体布局取决于相应处理器所需要的不同功能性。芯片表面看起来异常平滑,但事实上可能包含20多层复杂的电路,放大之后可以看到极其复杂的电路网络,形如未来派的多层高速公路系统。
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' E, Y( D4 A( b" Y晶圆测试:内核级别,大约10毫米/0.5英寸。图中是晶圆的局部,正在接受第一次功能性测试,使用参考电路图案和每一块芯片进行对比。5 a0 O, P) e3 r
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