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以鐵電隨機存取記憶體(FeRAM)取代靜態隨機存取記憶體(SRAM)?

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开网十周年纪念奖章

发表于 2019-4-5 21:00:23 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 yjwu 于 2019-4-5 21:42 编辑
. D5 l" L5 E1 I- s+ N% B  T9 O/ d% |: D6 J/ }
STUDER A810, A820, A812, A816, A807都用微處理器控制走帶及錄放音。其中A810, A820, A812, A816用微量耗電的靜態隨機存取記憶體(SRAM)儲存錄放音參數; 第一代的A810使用容易漏電解液的鎳鎘可充電電池, 年代久遠後往往造成IC插座堆積固態電解質, 不正常短路, 甚至電路板毀損。鎳鎘電池充放電失效使靜態隨機存取記憶體失去維持記憶的電源, 錄放音參數回歸出廠時的預設值, 無法發揮最佳錄放音水準。; }! A* o4 j% A6 k5 m3 S# V
A820以不可充電的鋰電池取代鎳鎘電池, 解決了電池漏液的重大缺失, 但仍存在對電池失效錄放音參數遺失的問題。
: h! |4 }  A$ M( j( f近年無需電池維持記憶的鐵電隨機存取記憶體(FeRAM)問世, 大量使用靜態隨機存取記憶體(SRAM)的STUDER開盤機似乎有了很好的替代方案。6 F7 X. k9 Z% B$ p3 j6 i

) a: _* x1 l0 D1 h5 T% J查了一下Mouser零件目錄, 2kX8, 8kX8的FeRAM都有, 只是平行阜28針的只有Cypress的FM16W08一種, 可取代A820 master MP-unit使用的8kX8 SRAM 6264.
, A" ?& ~6 V! L0 E' _1 I- V% `+ e: s* j. u; @
A810 MP-unit 及A820 MP-unit TD control 使用2kX8的6116; 其中A820 MP-unit TD control 上的SRAM無需保存數據.若用8kX8的FeRAM FM16W08取代A810 MP-unit的6116 , 腳位需調整。
$ n; m# d' o# E6 w5 {
8 W" R0 A# P! a( Q另外8kX8的FeRAM FM16W08 使用SOIC封裝, 6116/6264都是DIP 穿孔封裝。! _& v, |% A, s2 Z# t# _6 a$ ~4 s6 X+ F

* F! D9 @' K6 {簡單的轉換板有兩種版本:一種將貼片元件FM16W08轉成24針2kX8 6116, 另一種轉成28針8kX8 6264.
7 s) |( Q3 T2 N" i+ @" A有志願者願意完成轉換電路板這最後一里路嗎?' a: @3 D  ^9 j2 p5 p$ O
MSM5128-15RS_6116_2kX8_SRAM_Pinout.PNG
Cypress_FM16W08_8kX8_SRAM_Pinout.PNG
FCB61C65_8kX8_SRAM_Pinout.PNG

HM6116_2kX8.pdf

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001-86210_FM16W08_64-Kbit_8_K_8_Wide_Voltage_Bytewide_F-RAM_Memory_Datasheet.pdf

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发表于 2019-4-6 00:22:07 | 显示全部楼层
好主意
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